📢 #Gate广场征文活动第三期# 正式啓動!
🎮 本期聚焦:Yooldo Games (ESPORTS)
✍️ 分享獨特見解 + 參與互動推廣,若同步參與 Gate 第 286 期 Launchpool、CandyDrop 或 Alpha 活動,即可獲得任意獎勵資格!
💡 內容創作 + 空投參與 = 雙重加分,大獎候選人就是你!
💰總獎池:4,464 枚 $ESPORTS
🏆 一等獎(1名):964 枚
🥈 二等獎(5名):每人 400 枚
🥉 三等獎(10名):每人 150 枚
🚀 參與方式:
在 Gate廣場發布不少於 300 字的原創文章
添加標籤: #Gate广场征文活动第三期#
每篇文章需 ≥3 個互動(點讚 / 評論 / 轉發)
發布參與 Launchpool / CandyDrop / Alpha 任一活動的截圖,作爲獲獎資格憑證
同步轉發至 X(推特)可增加獲獎概率,標籤:#GateSquare 👉 https://www.gate.com/questionnaire/6907
🎯 雙倍獎勵機會:參與第 286 期 Launchpool!
質押 BTC 或 ESPORTS,瓜分 803,571 枚 $ESPORTS,每小時發放
時間:7 月 21 日 20:00 – 7 月 25 日 20:00(UTC+8)
🧠 寫作方向建議:
Yooldo
富加鎵業4英寸VB法氧化鎵襯底性能達到國際先進水平
金十數據2月20日訊,記者從杭州光學精密機械研究所獲悉,杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼(VB)法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破,經測試單晶質量達到國際先進水平,現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明,使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶,單晶襯底XRD半高全寬(FWHM)優於50arcsec,與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當,性能達到國際先進水平。